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S29GL512N11TFI020	文件：2.63199 Mbytes Page：100 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology 512 Megabit, 256 Megabit, and 128 Megabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit™ Process Technology General Description The S29GL512/256/128N family of devices are 3.0V single power flash memory manufactured using 110 nm MirrorBit technology. The S29GL512N is a 5 文件：2.63199 Mbytes 页数：100 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL512N11TFI020	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL512P10TFCR10	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP56	spansion 飞索上传：香港凯利国际有限公司	spansion
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S29GL512P10TFIR10高频器件	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP-56	CYPRESS/赛普拉斯上传：深圳庞田科技有限公司	CYPRESS/赛普拉斯

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