S29GL512N中文资料512, 256, 128 Mbit, 3 V, Page Flash Featuring 110 nm MirrorBit数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
S29GL512N |
| 参数属性 | S29GL512N 封装/外壳为64-LBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL |
| 功能描述 | 512, 256, 128 Mbit, 3 V, Page Flash Featuring 110 nm MirrorBit |
| 封装外壳 | 64-LBGA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 17:00:00 |
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技术参数
- 产品编号：
S29GL512N10FFAR20
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
GL-N
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
FLASH - NOR
- 存储容量：
512Mb（64M x 8，32M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
100ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
64-LBGA
- 供应商器件封装：
64-FBGA（13x11）
- 描述：
IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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