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S29GL256P11FAI022	文件：1.56172 Mbytes Page：71 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 1Gigabit,512Megabit,256Megabitand128Megabit3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing90nmMirrorBitProcessTechnology GeneralDescription TheSpansionS29GL01G/512/256/128PareMirrorbit®Flashproductsfabricatedon90nmprocesstechnology.Thesedevicesofferafastpageacces	spansionSPANSION 飞索飞索半导体	spansion
S29GL256P11FAI022	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：64-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP

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S29GL256P11FAI022

文件：1.56172 Mbytes

Page：71 Pages

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology

1Gigabit,512Megabit,256Megabitand128Megabit3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing90nmMirrorBitProcessTechnology GeneralDescription TheSpansionS29GL01G/512/256/128PareMirrorbit®Flashproductsfabricatedon90nmprocesstechnology.Thesedevicesofferafastpageacces

spansionSPANSION

飞索飞索半导体

spansion

S29GL256P11FAI022

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：64-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CYP

产品属性

产品编号：
S29GL256P11FAI022
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-P
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
256Mb（32M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
110ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LBGA
供应商器件封装：
64-FBGA（13x11）
描述：
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA

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更多S29GL256P11FAI022供应商更新时间2024-4-29 15:32:00

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