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S29GL256N11FFI023	文件：2.63199 Mbytes Page：100 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology 512Megabit,256Megabit,and128Megabit,3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing110nmMirrorBit™ProcessTechnology GeneralDescription TheS29GL512/256/128Nfamilyofdevicesare3.0Vsinglepowerflashmemorymanufacturedusing110nmMirrorBittechnology.TheS29GL512Nisa5	spansionSPANSION 飞索飞索半导体	spansion
S29GL256N11FFI023	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：64-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP

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S29GL256N11FFI023

文件：2.63199 Mbytes

Page：100 Pages

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology

512Megabit,256Megabit,and128Megabit,3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing110nmMirrorBit™ProcessTechnology GeneralDescription TheS29GL512/256/128Nfamilyofdevicesare3.0Vsinglepowerflashmemorymanufacturedusing110nmMirrorBittechnology.TheS29GL512Nisa5

spansionSPANSION

飞索飞索半导体

spansion

S29GL256N11FFI023

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：64-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CYP

产品属性

产品编号：
S29GL256N11FFI023
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-N
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
256Mb（32M x 8，16M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
110ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LBGA
供应商器件封装：
64-FBGA（13x11）
描述：
IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	S29GL256N11FFI023	Cypress Semiconductor Corp	24+	64-LBGA	9350	独立分销商,公司只做原装，诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	S29GL256N11FFIIH		23+	N/A	85600	正品授权货源可靠	询价
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深圳市一线半导体有限公司	S29GL256N11FFIIH0	SPZ			2751		询价

更多S29GL256N11FFI023供应商更新时间2024-5-22 15:00:00

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