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S29GL256N10FFI013	文件：2.62485 Mbytes Page：110 Pages	MirrorBit Flash Family 512 Megabit, 256 Megabit, and 128 Megabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit™ Process Technology General Description The S29GL512/256/128N family of devices are 3.0V single power flash memory manufactured using 110 nm MirrorBit technology. The S29GL512N is a 5 文件：2.62485 Mbytes 页数：110 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL256N10FFI013	文件：2.63199 Mbytes Page：100 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology 512 Megabit, 256 Megabit, and 128 Megabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit™ Process Technology General Description The S29GL512/256/128N family of devices are 3.0V single power flash memory manufactured using 110 nm MirrorBit technology. The S29GL512N is a 5 文件：2.63199 Mbytes 页数：100 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL256N10FFI013	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL256N10TFI01	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP	spansion 飞索上传：深圳市广丰裕电子科技有限公司	spansion
S29GL256N10TFI02	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP	spansion 飞索上传：深圳市广丰裕电子科技有限公司	spansion

产品属性

产品编号：
S29GL256N10FFI013
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-N
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
256Mb（32M x 8，16M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LBGA
供应商器件封装：
64-FBGA（13x11）
描述：
IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL

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