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S29GL128P11FFI020	文件：1.56172 Mbytes Page：71 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 1Gigabit,512Megabit,256Megabitand128Megabit3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing90nmMirrorBitProcessTechnology GeneralDescription TheSpansionS29GL01G/512/256/128PareMirrorbit®Flashproductsfabricatedon90nmprocesstechnology.Thesedevicesofferafastpageacces	spansionSPANSION 飞索飞索半导体
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S29GL128P11FFI020

文件：1.56172 Mbytes

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3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology

1Gigabit,512Megabit,256Megabitand128Megabit3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing90nmMirrorBitProcessTechnology GeneralDescription TheSpansionS29GL01G/512/256/128PareMirrorbit®Flashproductsfabricatedon90nmprocesstechnology.Thesedevicesofferafastpageacces

spansionSPANSION

飞索飞索半导体

S29GL128P11FFI020

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包装：托盘封装/外壳：64-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

S29GL128P11FFI0202

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包装：托盘封装/外壳：64-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

产品属性

产品编号：
S29GL128P11FFI020
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-P
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
128Mb（16M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
110ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LBGA
供应商器件封装：
64-FBGA（13x11）
描述：
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA

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