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S29GL128N10TFI010	文件：2.63199 Mbytes Page：100 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology 512Megabit,256Megabit,and128Megabit,3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing110nmMirrorBit™ProcessTechnology GeneralDescription TheS29GL512/256/128Nfamilyofdevicesare3.0Vsinglepowerflashmemorymanufacturedusing110nmMirrorBittechnology.TheS29GL512Nisa5	spansionSPANSION 飞索飞索半导体
S29GL128N10TFI010	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP	CYP Cypress Semiconductor Corp

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

S29GL128N10TFI010

文件：2.63199 Mbytes

Page：100 Pages

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology

512Megabit,256Megabit,and128Megabit,3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing110nmMirrorBit™ProcessTechnology GeneralDescription TheS29GL512/256/128Nfamilyofdevicesare3.0Vsinglepowerflashmemorymanufacturedusing110nmMirrorBittechnology.TheS29GL512Nisa5

spansionSPANSION

飞索飞索半导体

S29GL128N10TFI010

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP

CYP

Cypress Semiconductor Corp

产品属性

产品编号：
S29GL128N10TFI010
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-N
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
128Mb（16M x 8，8M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
56-TSOP
描述：
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP

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更多S29GL128N10TFI010供应商更新时间2024-4-28 16:57:00

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