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S29GL128N10FFI010

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology

512 Megabit, 256 Megabit, and 128 Megabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit™ Process Technology General Description The S29GL512/256/128N family of devices are 3.0V single power flash memory manufactured using 110 nm MirrorBit technology. The S29GL512N is a 5

文件:2.63199 Mbytes 页数:100 Pages

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飞索

S29GL128N10FFI010

Package:64-LBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:FLASH - NOR MEMORY IC 128MB (16M

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

S29GL128N10FFI010

Package:64-LBGA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

S29GL128N10FFI010A

Package:64-LBGA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    S29GL128N10FFI010

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    GL-N

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    128Mb(8M x 16,16M x 8)

  • 存储器接口:

    CFI

  • 写周期时间 - 字,页:

    100ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    64-LBGA

  • 供应商器件封装:

    64-FBGA(13x11)

  • 描述:

    FLASH - NOR MEMORY IC 128MB (16M

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更多S29GL128N10FFI010供应商 更新时间2025-10-25 14:04:00