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S29GL01GS11TFB020中文资料Parallel NOR 闪存数据手册Infineon规格书

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厂商型号

S29GL01GS11TFB020

参数属性

S29GL01GS11TFB020 封装/外壳为56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP

功能描述

Parallel NOR 闪存

封装外壳

56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :S29GL01GS11TFB020

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Density

    :1 GBit

  • Peak Reflow Temp

    :260 °C

  • Operating Temperature

    :-40 °C to 105 °C

  • Operating Voltage

    :3 V

  • Lead Ball Finish

    :Matte Tin Plating

  • Interfaces

    :Parallel

  • Interface Frequency (SDR/DDR)(MHz)

    :NA

  • Family

    :GL-S

  • Qualification

    :Automotive

  • Page Access Time

    :15 ns

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