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S29GL01GP13FFIV10	文件：1.56172 Mbytes Page：71 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 1Gigabit,512Megabit,256Megabitand128Megabit3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing90nmMirrorBitProcessTechnology GeneralDescription TheSpansionS29GL01G/512/256/128PareMirrorbit®Flashproductsfabricatedon90nmprocesstechnology.Thesedevicesofferafastpageacces	spansionSPANSION 飞索飞索半导体	spansion
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S29GL01GP13FFIV10

文件：1.56172 Mbytes

Page：71 Pages

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology

1Gigabit,512Megabit,256Megabitand128Megabit3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing90nmMirrorBitProcessTechnology GeneralDescription TheSpansionS29GL01G/512/256/128PareMirrorbit®Flashproductsfabricatedon90nmprocesstechnology.Thesedevicesofferafastpageacces

spansionSPANSION

飞索飞索半导体

spansion

S29GL01GP13FFIV10

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Parallel NOR Flash; \n优势:\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
S29GL01GP13FFIV10
功能描述：
闪存 1GB 2.7-3.6V 130ns Parallel NOR 闪存
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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