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S26KS512SDPBHN020中文资料HYPERBUS™ Memory数据手册Infineon规格书

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厂商型号

S26KS512SDPBHN020

参数属性

S26KS512SDPBHN020 封装/外壳为24-VBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 24FBGA

功能描述

HYPERBUS™ Memory

封装外壳

24-VBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 19:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :S26KS512SDPBHN020

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Density (Mbit)

    :512

  • Initial Access Time (ns)

    :96

  • Interface Bandwidth (MBps)

    :333

  • Interface Frequency (SDR / DDR) (MHz)

    :- / 166

  • 最高工作电压 (V)

    :1.95

  • 最低工作电压 (V)

    :1.70

  • Operating Voltage (V)

    :1.8

  • Part Family

    :HyperFlash

  • Series

    :KS-S

  • Tape & Reel

    :否

  • Temperature Range (Min C to Max C)

    :-40C to +125C

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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