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S20C35CE中文资料统懋数据手册PDF规格书

S20C35CE
厂商型号

S20C35CE

功能描述

Schottky Barrier Rectifiers

文件大小

178.48 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Mospec Semiconductor
企业简称

MOSPEC统懋

中文名称

统懋半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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S20C35CE规格书详情

Schottky Barrier Rectifiers

Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.

* Low Forward Voltage.

* Low Switching noise.

* High Current Capacity

* Guarantee Reverse Avalanche.

* Guard-Ring for Stress Protection.

* Low Power Loss & High efficiency.

* 150℃ Operating Junction Temperature

* Low Stored Charge Majority Carrier Conduction.

* Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

产品属性

  • 型号:

    S20C35CE

  • 制造商:

    MOSPEC

  • 制造商全称:

    Mospec Semiconductor

  • 功能描述:

    Schottky Barrier Rectifiers

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