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S1JHE3_A/I	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Glass Passivated Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
S1JHE3_A/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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S1JHE3-A/H	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedRectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified •Material	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
S1JHE3_A/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
12pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

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