S1FLK-M分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
S1FLK-M |
| 参数属性 | S1FLK-M 封装/外壳为DO-219AB；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB |
| 功能描述 | Standard Recovery Rectifier, High Voltage Surface Mount |
| 封装外壳 | DO-219AB |
| 文件大小 |
111.1 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-10 11:26:00 |
| 人工找货 | S1FLK-M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
S1FLK-M规格书详情
FEATURES
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated
• High temperature soldering: 260 °C / 10 s at
terminals
• Wave and reflow solderable
• Compatible to SOD-123W package case outline
or SOD-123F and SOD-123FL
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
MECHANICAL DATA
Case: SMF (DO-219AB)
Polarity: band denotes cathode end
Weight: approx. 15 mg
Packaging codes / options:
18/10K per 13 reel (8 mm tape), MOQ = 50K
08/3K per 7 reel (8 mm tape), MOQ = 30K
Circuit configuration: single
产品属性
- 产品编号：
S1FLK-M-18
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
带盒（TB）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-219AB
- 供应商器件封装：
DO-219AB（SMF）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
DO-219AB |
12800 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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3000 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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DO-219AB |
50000 |
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VISHAY |
24+ |
DO-219AB |
3000 |
原装现货假一赔十 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
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VISHAY |
DO-219AB |
3000 |
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