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S1DHE3/5AT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
EGF1DHE3/5CA	文件：106.76 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedUltrafastRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Idealforautomatedplacement •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
ES1DHE3/5AT	文件：102.23 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastrecoverytimesforhighefficiency •Lowforwardvoltage,lowpowerlosses •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
ESH1DHE3/5AT	文件：101.56 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPlasticRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UH1DHE3/5AT	文件：106.53 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastRectifiers FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytimesforhighfrequency •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-fre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
S1DHE3/5AT
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
12pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

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更多S1DHE3/5AT供应商更新时间2025-4-30 15:32:00

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