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S11519-30数据手册Hamamatsu中文资料规格书

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厂商型号

S11519-30

功能描述

增强近红外灵敏度 使用MEMS技术

制造商

Hamamatsu Hamamatsu Photonics Co.,Ltd.

中文名称

滨松光子 滨松光子学株式会社

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:39:00

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S11519-30规格书详情

描述 Description

滨松公司通过在在光电二极管背部形成MEMS结构,研发出了多种近红外灵敏度增强型硅探测器。S11519系列是就是近红外波段灵敏度增强硅APD的一种。与传统产品(S8890系列)相比,该系列对YAG激光(1.06 μm)的灵敏度有了极大提高。且该系列采用低偏置电压,与传统的S8890系列相比,S11519系列各方面的特性有了很大提高,比如击穿电压、暗电流和截止频率。

特性 Features


- 近红外波段高灵敏度 
- 高增益
- 低偏置电压下稳定工作
- 感光面积: φ3.0 mm

技术参数

  • 制造商编号

    :S11519-30

  • 生产厂家

    :Hamamatsu

  • 感光面积

    :φ3 mm

  • 封装

    :金属

  • 封装类型

    :TO-8

  • 峰值波长(典型值)

    :960 nm

  • 光谱响应范围(最小值)

    :600 to 1150 nm

  • 暗电流(最大值)

    :90 nA

  • 截止频率(典型值)

    :230 MHz

  • 击穿电压(典型值)

    :350 V

  • 击穿电压温度系数(典型值)

    :1.7 V/℃

  • 增益(典型值)

    :100

  • 测试条件

    :除非注明,均为典型值,Ta=25 ℃

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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