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S10C150C	文件：160.8 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheeling	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
10C150	文件：153.29 Kbytes Page：8 Pages	NANDP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
10C150	文件：142.91 Kbytes Page：10 Pages	NANDP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
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AP10C150H	文件：95.95 Kbytes Page：8 Pages	NANDP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
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AP10C150MT	文件：153.29 Kbytes Page：8 Pages	NANDP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
DSA10C150PB	文件：99.9 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode LowLossandSoftRecovery HighPerformanceSchottkyDiode CommonCathode Features/Advantages: ●VerylowVf ●Extremelylowswitchinglosses ●LowIrmvalues ●Improvedthermalbehaviour ●Highreliabilitycircuitoperation ●Lowvoltagepeaksforreducedprotectioncircuits ●Lownoi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSA10C150PB	文件：349.15 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyRectifierDiode FEATURES ·Improvedthermalbehavior ·Highreliabilitycircuitoperation ·Extremelylowswitchinglosses ·VerylowVf ·Lownoiseswitching MECHANICALCHARACTERISTICS ·RectifiersinSwitchModePowerSupplies(SMPS) ·Freewheelingdiodeinlowvoltageconverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSA10C150UC	文件：150.76 Kbytes Page：5 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
S10C150C
制造商：
MOSPEC
制造商全称：
Mospec Semiconductor
功能描述：
Schottky Barrier Rectifiers

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更多S10C150C供应商更新时间2025-7-17 10:02:00

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