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S07M-M-08	文件：90.79 Kbytes Page：5 Pages	Standard Recovery Rectifier High Voltage Surface Mount Features •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivated •Hightemperaturesoldering:260°C/10satterminals •Waveandreflowsolderable •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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S07M-M-08

文件：90.79 Kbytes

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Standard Recovery Rectifier High Voltage Surface Mount

Features •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivated •Hightemperaturesoldering:260°C/10satterminals •Waveandreflowsolderable •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

S07M-M-08

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Package：DO-219AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
S07M-M-08
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
700mA
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-219AB
供应商器件封装：
DO-219AB（SMF）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB

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