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S-SS8050LT1G	文件：390.28 Kbytes Page：3 Pages	Marking：1HA；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
L8050LT1	文件：46.21 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon FEATURE ●Highcurrentcapacityincompactpackage.IC=0.8A. ●Epitaxialplanartype. ●PNPcomplement:L8550 ●Pb-FreePackageisavailable.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
M8050LT1	文件：357.41 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT8050LT1	文件：164.17 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR 2WOUTPUTAMPLIFIEROFPORTABLERADIOSINCLASSBPUSH-PULLOPERATION •ComplementtoMMPT8550LT1 •CollectorCurrent:Ic=500mA •CollectorDissipation:Pc=225mW(Tc=25°C)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
S8050LT1	文件：71.52 Kbytes Page：1 Pages	PLASTIC-ENCAPSULATETRANSISTORS TRANSISTOR（NPN） FEATURES PowerdissipationPCM:0.3W（Tamb=25℃） CollectorcurrentICM:0.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:40V	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
SS8050LT1	文件：131.7 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
SS8050LT1	文件：403.69 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeTransistors PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
SS8050LT1G	文件：390.28 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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更多S-SS8050LT1G供应商更新时间2025-5-21 16:20:00

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