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S-LNB8266DT1AG

丝印:N66;Package:DFN3333-8A;N-Channel 60-V Power MOSFET Low RDS(on) trench technology.

文件:658.9 Kbytes 页数:5 Pages

LRC

乐山无线电

S-LNB8266DT1AG

低功率MOSFET

LRC

乐山无线电

LN8266DT1AG

N-Channel 60-V Power MOSFET

文件:585.48 Kbytes 页数:5 Pages

LRC

乐山无线电

技术参数

  • Qualified to AECQ101:

    Y

  • VDSS (V):

    60

  • ID (A) @TA:

    9

  • VGSth Min (V):

    1

  • RDS(ON)Max @VGS/IDS (mΩ):

    20

  • VGS/IDS (V)/(A):

    10/10.4

  • Package:

    DFN3333-8A

  • Polarity:

    N-Channel

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更多S-LNB8266DT1AG供应商 更新时间2025-10-9 9:30:00