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S-LDN8205T1G

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:400.14 Kbytes 页数:5 Pages

LRC

乐山无线电

S-LDN8205T1G

低压功率MOSFET

LRC

乐山无线电

LDN8205T1G

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:400.14 Kbytes 页数:5 Pages

LRC

乐山无线电

S-LMBR30S100SCN56

LRC乐山无线电

上传:深圳市三芯电子有限公司

LRC乐山无线电

技术参数

  • Qualified to AECQ101:

    Y

  • VDSS (V):

    20

  • VGS(V):

    12

  • ID (A) @TA:

    6

  • VGSth Min (V):

    0.5

  • VGSth Max (V):

    1.2

  • td(on) (ns):

    20

  • td(off) (ns):

    70

  • RDS(ON)Max @VGS/IDS (mΩ):

    23

  • VGS/IDS (V)/(A):

    4.5/4.5

  • Package:

    SOT23-6

  • Polarity:

    Dual-N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
LRC乐山无线电
25
10000
全新原装
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LRC
24+
con
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查现货到京北通宇商城
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SOT-23
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三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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更多S-LDN8205T1G供应商 更新时间2025-12-12 11:01:00