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BR806	文件：144.41 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BR806	文件：93.84 Kbytes Page：6 Pages	BridgeRectifier	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BR806G	文件：144.01 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR806G	文件：33.27 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR806G	文件：93.04 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Surgeoverloadrating-175amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
BR806G	文件：98.67 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000VoltsFORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Surgeoverloadrating-175amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR806G	文件：350.52 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BS806B	文件：167.58 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey TheBS801B/02B/04B/06B/08Barearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Operatingvoltage:2.2V~5.5V Ultra	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
BS806C	文件：181.22 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey GeneralDescription TheBS801C/02C/04C/06C/08Carearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Features Op	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
BSL806N	文件：241.69 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS806N	文件：251.6 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS806N	文件：160.8 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	TYSEMITaiwan TY Semiconductor Co. , Ltd. 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
BSS806N	文件：247.24 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
BSS806NE	文件：572.61 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •ESDprotected •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BU806	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BU806	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BU806	文件：74.45 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUMVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BU806	文件：347.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BU806	文件：108.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU806	文件：134.5 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
S-806D-X
制造商：
SII
制造商全称：
Seiko Instruments Inc
功能描述：
VOLTAGE DETECTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多S-806D-X供应商更新时间2024-5-17 16:00:00

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