RN2131MFV,L3F_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-单预偏置-Toshiba Semiconductor and Storage

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厂家型号：
RN2131MFV,L3F
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
8000
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-单预偏置
封装外壳：
SOT-723
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-25 15:29:00

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原厂料号：RN2131MFV,L3F品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

RN2131MFV,L3F是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装SOT-723的RN2131MFV,L3F晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

芯片型号：
rn2131mfv,l3f
规格书：
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资料说明：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

产品属性

类型
描述
产品编号：
RN2131MFV,L3F
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
VESM
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

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