RJH60A01RDPD-A0#J2_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-Renesas Electronics America Inc

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厂家型号：
RJH60A01RDPD-A0#J2
制造商：
Renesas Electronics America Inc
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-7-31 15:01:00

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原厂料号：RJH60A01RDPD-A0#J2品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：IGBT 600V 5A

RJH60A01RDPD-A0#J2是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Renesas Electronics America Inc生产封装TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的RJH60A01RDPD-A0#J2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
rjh60a01rdpd-a0%23j2
规格书：
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资料说明：
IGBT 600V 5A

产品属性

类型
描述
产品编号：
RJH60A01RDPD-A0#J2
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，5A
开关能量：
130µJ（开），70µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/40ns
测试条件：
300V，5A，5 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252
描述：
IGBT 600V 5A

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