| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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17年
留言
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罗姆TO-220 |
800 |
24+ |
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7年
留言
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RONMTO-220F |
20000 |
19+ |
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12年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
5000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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12年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
12000 |
25+ |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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13年
留言
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RTO-220F |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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-NA |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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5年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
230 |
23+ |
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6年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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4年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
8000 |
24+ |
新到现货,只做全新原装正品 |
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16年
留言
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ROHMto220f |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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7年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
10000 |
00+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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5年
留言
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Rohm SemiconductorTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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17年
留言
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5000 |
24+ |
公司存货 |
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13年
留言
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ROHMTO-220 |
59630 |
23+24 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
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5年
留言
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Rohm SemiconductorTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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1年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
12000 |
26+ |
原装,正品 |
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17年
留言
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TO-220 |
50000 |
24+ |
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6年
留言
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ROHMTO-220 |
1675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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11年
留言
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TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
RDN150采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
RDN150图片
RDN150N20中文资料Alldatasheet PDF
更多RDN150N20功能描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RDN150N20FU6功能描述:MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLTG-10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube






























