| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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ROHM/罗姆SMD |
20000 |
25+ |
专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十 |
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14年
留言
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ONSOT-463 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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12年
留言
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ONSOT-463 |
10000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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7年
留言
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ON/安森美SOT-463 |
50000 |
26+ |
芯为深仓现货 |
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8年
留言
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RONMTO-220F |
20000 |
19+ |
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13年
留言
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ROHMTO-220F |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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6年
留言
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ROHM/罗姆TO-2203 |
7000 |
23+ |
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4年
留言
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ADI/亚德诺原封装 |
66900 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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11年
留言
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ROHMTO-220F |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货 价格优势 |
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13年
留言
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ROHM/罗姆TO220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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6年
留言
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ROHM/罗姆TO-220F |
880000 |
07+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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10年
留言
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ROHMNA |
3486 |
25+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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12年
留言
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TO-220F |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ROHM/罗姆TO-2203 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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1年
留言
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ROHMTO-220F |
5431 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单 |
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10年
留言
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ROHMTO-220F |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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7年
留言
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ROHM-罗姆TO-220-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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ROHM-罗姆TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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ROHM-罗姆TO-220-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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RDN图片
RDN100N20FU6价格
RDN100N20FU6价格：￥14.1261品牌：Rohm
生产厂家品牌为Rohm的RDN100N20FU6多少钱，想知道RDN100N20FU6价格是多少？参考价：￥14.1261。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，RDN100N20FU6批发价格及采购报价，RDN100N20FU6销售排行榜及行情走势，RDN100N20FU6报价。
RDN050N20FU6资讯
RDN050N20
RDN050N20，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
RDN100N20
RDN100N20主要参数： FET - 单 FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能： 标准 漏源极电压（Vdss）： 200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 360 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 30nC @
RDN050N20、RDN080N25、RDN100N20内部电路图
rdn050n20、rdn080n25、rdn100n20内部电路如下图所示： 来源:与你同行
RDN120N25、RDN150N20内部电路图
rdn120n25、rdn150n20内部电路如下图所示： 来源:与你同行
RDN050N20FU6中文资料Alldatasheet PDF
更多RDN050N20功能描述:MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RDN050N20FU6功能描述:MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RDN080N25功能描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RDN080N25FU6功能描述:MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-4V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RDN100N20功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RDN100N20FU6功能描述:MOSFET TRANS MOSFET NCH 200V 10A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RDN120N25功能描述:MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RDN120N25FU6功能描述:MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RDN150N20功能描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RDN150N20FU6功能描述:MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLTG-10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
