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深圳市华来深电子有限公司

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RDN120N25FU6

ROHM/罗姆SMD

20000

25+

专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十

深圳市恒创达实业有限公司

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RDN

ONSOT-463

6200

17+

100%原装正品现货

深圳诚思涵科技有限公司

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RDN

ONSOT-463

10000

16+

进口原装现货/价格优势!

深圳市镁域芯片电子有限公司

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RDN

ONSEMI/安森美SOT-463

41530

22+23+

原装专业ADI/TI/ON/MAXIM/恩XP/ST/EXAR/MICRO

深圳市金华微盛电子有限公司

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RDN150N20L02

RONMTO-220F

20000

19+

深圳市纳艾斯科技有限公司

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RDN150N20

RTO-220F

80000

24+

只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

深圳市赛美科科技有限公司

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RDN150N20

TO-220

68500

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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RDN100N20YF54

ROHM/罗姆TO220

9850

2450+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市勤思达科技有限公司

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RDN150N20L02

ROHM/罗姆TO-220F

5000

24+

全新原装正品,现货销售

中天科工半导体（深圳）有限公司

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RDN080N25

ROHMTO-220F

38560

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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RDN100N20L

ROHMTO220F

4835

2025+

全新原厂原装产品、公司现货销售

深圳市威雅利发展有限公司

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RDN18120143-001-9041

KGMSOP8

200

1901+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市拓亿芯电子有限公司

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RDN100N20YF54

ROHM/罗姆TO-220F

30000

25+

全新原装 假一赔十 价格优势

深圳市凌旭科技有限公司

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RDN100N20YF54

ROHM/罗姆TO220

1062

21+

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深圳市亿联芯电子科技有限公司

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RDN100N20YF54

ROHM/罗姆TO220

6893

2023+
1+
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十五年行业诚信经营,专注全新正品

深圳市中飞凌科技有限公司

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RDN2841RCPZ-32

ADI/亚德诺NA

60000

26+

原装正品,可BOM配单

深圳市拓亿芯电子有限公司

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RDN100N20YF54

ROHM/罗姆TO-220F

30000

25+

全新原装,假一赔十,价格优势

深圳市振宏微科技有限公司

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RDN080N25FU6

ROHMNA

3486

23+

专做原装正品,假一罚百!

深圳市明嘉莱科技有限公司

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RDN080N25

ROHM/罗姆TO-220F

880000

25+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市明嘉莱科技有限公司

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RDN080N25

ROHM/罗姆TO-220F

880000

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RDN100N20FU6价格

RDN100N20FU6价格：￥14.1261品牌：Rohm

生产厂家品牌为Rohm的RDN100N20FU6多少钱，想知道RDN100N20FU6价格是多少？参考价：￥14.1261。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，RDN100N20FU6批发价格及采购报价，RDN100N20FU6销售排行榜及行情走势，RDN100N20FU6报价。

RDN080N25资讯

RDN050N20

RDN050N20，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.

RDN100N20

RDN100N20主要参数： FET - 单 FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能： 标准 漏源极电压（Vdss）： 200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 360 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 30nC @

RDN050N20、RDN080N25、RDN100N20内部电路图

　　rdn050n20、rdn080n25、rdn100n20内部电路如下图所示： 　　 来源:与你同行

RDN120N25、RDN150N20内部电路图

　　rdn120n25、rdn150n20内部电路如下图所示： 　　 来源:与你同行

RDN080N25中文资料Alldatasheet PDF

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RDN050N20功能描述:MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

RDN050N20FU6功能描述:MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RDN080N25功能描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

RDN080N25FU6功能描述:MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-4V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RDN100N20功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RDN100N20FU6功能描述:MOSFET TRANS MOSFET NCH 200V 10A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RDN120N25功能描述:MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

RDN120N25FU6功能描述:MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RDN150N20功能描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

RDN150N20FU6功能描述:MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLTG-10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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