RA4474K250-FA_电容器 薄膜电容器高频,开关;高脉冲,DV/DT;EMI,RFI 抑制-CDE

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原厂料号:RA4474K250-FA品牌:Cornell Dubilier Electronics (CDE)

资料说明:CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD

RA4474K250-FA是电容器 > 薄膜电容器。制造商CDE/Cornell Dubilier Electronics生产封装径向的RA4474K250-FA薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。

  • 芯片型号:

    ra4474k250-fa

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    CDE详情

  • 厂商全称:

    Cornell Dubilier Electronics

  • 资料说明:

    CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    RA4474K250-FA

  • 制造商:

    Cornell Dubilier Electronics (CDE)

  • 类别:

    电容器 > 薄膜电容器

  • 系列:

    Angstor® RA

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±10%

  • 额定电压 - AC:

    160V

  • 额定电压 - DC:

    250V

  • 介电材料:

    聚酯,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),金属化

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向

  • 大小 / 尺寸:

    0.449" 长 x 0.209" 宽(11.40mm x 5.30mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    0.303"(7.70mm)

  • 端接:

    PC 引脚

  • 引线间距:

    0.394"(10.00mm)

  • 应用:

    高频,开关;高脉冲,DV/DT;EMI,RFI 抑制

  • 描述:

    CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CORNELL
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