R49AI310040A2K_电容器薄膜电容器EMI，RFI 抑制-基美

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1+	¥6.43000

厂家型号：
R49AI310040A2K
制造商：
KEMET/基美
库存数量：
0
类别：
电容器薄膜电容器
封装外壳：
径向
包装：
散装
安装类型：
通孔
更新时间：
2025-8-3 8:14:00

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详细信息
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原厂料号：R49AI310040A2K品牌：KEMET

资料说明：CAP FILM 0.1UF 10% 800VDC RAD

R49AI310040A2K是电容器 > 薄膜电容器。制造商KEMET/基美生产封装径向的R49AI310040A2K薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。

芯片型号：
r49ai310040a2k
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
KEMET【基美】详情
厂商全称：
KEMET Corporation
中文名称：
基美公司
资料说明：
CAP FILM 0.1UF 10% 800VDC RAD

产品属性

类型
描述
产品编号：
R49AI310040A2K
制造商：
KEMET
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
R49
包装：
散装
容差：
±10%
额定电压 - AC：
330V
额定电压 - DC：
800V
介电材料：
聚丙烯（PP），金属化
工作温度：
-40°C ~ 110°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
0.709" 长 x 0.236" 宽（18.00mm x 6.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.693"（17.60mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.591"（15.00mm）
应用：
EMI，RFI 抑制
等级：
X1
描述：
CAP FILM 0.1UF 10% 800VDC RAD

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R49AI310040A2K_电容器 薄膜电容器EMI，RFI 抑制-基美

R49AI310040A2K

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