R1RP0416DGE-2LR#B1_集成电路（IC）存储器-Renesas Electronics America Inc

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108+	¥42.94944

厂家型号：
R1RP0416DGE-2LR#B1
制造商：
Renesas Electronics America Inc
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
包装：
托盘
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-8-2 16:30:00

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原厂料号：R1RP0416DGE-2LR#B1品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

R1RP0416DGE-2LR#B1是集成电路（IC） > 存储器。制造商Renesas Electronics America Inc生产封装44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）的R1RP0416DGE-2LR#B1存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
r1rp0416dge-2lr%23b1
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

产品属性

类型
描述
产品编号：
R1RP0416DGE-2LR#B1
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

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R1RP0416DGE-2LR#B1

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