R1EV58064BDANBI#B2_集成电路（IC）存储器-Renesas Electronics America Inc

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厂家型号：
R1EV58064BDANBI#B2
制造商：
Renesas Electronics America Inc
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
28-DIP（0.600"，15.24mm）
包装：
托盘
安装类型：
通孔
更新时间：
2025-8-1 9:08:00

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原厂料号：R1EV58064BDANBI#B2品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP

R1EV58064BDANBI#B2是集成电路（IC） > 存储器。制造商Renesas Electronics America Inc生产封装28-DIP（0.600"，15.24mm）的R1EV58064BDANBI#B2存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
r1ev58064bdanbi%23b2
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP

产品属性

类型
描述
产品编号：
R1EV58064BDANBI#B2
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
R1EV58064BxxN
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
EEPROM
技术：
EEPROM
存储容量：
64Kb（8K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-DIP
描述：
IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP

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R1EV58064BDANBI#B2

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