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QXT2G683KRPT数据手册电容器的薄膜电容器规格书PDF
| 厂商型号 |
QXT2G683KRPT |
| 参数属性 | QXT2G683KRPT 封装/外壳为径向；包装为散装；类别为电容器的薄膜电容器；QXT2G683KRPT应用范围：高频率，开关；产品描述：CAP FILM 0.068UF 10% 400VDC RAD |
| 功能描述 | 聚丙烯膜电容(CBB) |
| 封装外壳 | 径向 |
| 制造商 | Nichicon Nichicon corporation |
| 中文名称 | 尼吉康 日本尼吉康株式会社 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 17:28:00 |
| 人工找货 | QXT2G683KRPT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
QXT2G683KRPT规格书详情
简介
QXT2G683KRPT属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的QXT2G683KRPT薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。
技术参数
更多- 制造商编号
：QXT2G683KRPT
- 生产厂家
：Nichicon
- 精度
：±10%
- 额定电压
：400V；200V
- 工作温度
：-40℃~+105℃
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
OKI |
24+ |
TSSOP-48 |
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