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QXP2J683KRPT数据手册电容器的薄膜电容器规格书PDF

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厂商型号

QXP2J683KRPT

参数属性

QXP2J683KRPT 封装/外壳为径向;包装为散装;类别为电容器的薄膜电容器;QXP2J683KRPT应用范围:高频率,开关;产品描述:CAP FILM 0.068UF 10% 630VDC RAD

功能描述

聚丙烯膜电容(CBB)
CAP FILM 0.068UF 10% 630VDC RAD

封装外壳

径向

制造商

Nichicon Nichicon corporation

中文名称

尼吉康 日本尼吉康株式会社

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:45:00

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QXP2J683KRPT规格书详情

简介

QXP2J683KRPT属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的QXP2J683KRPT薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :QXP2J683KRPT

  • 生产厂家

    :Nichicon

  • 精度

    :±10%

  • 额定电压

    :630V;200V

  • 工作温度

    :-40℃~+105℃

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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