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RF1127	文件：555.63 Kbytes Page：8 Pages	BROADBANDLOWPOWERSPDTSWITCH	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
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SD1127	文件：105.43 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSVHFCOMMUNICATIONS DESCRIPTION: THESD1127ISA12.5VOLTSILICONNPNPLANARTRANSISTORDESIGNEDFORECONOMICALVHFCOMMUNICATIONS.THETRANSISTORCHIPISMOUNTEDONABERYLLIUMOXIDETABTOISOLATETHECOLLECTORLEADALLOWINGAGROUNDEDEMITTERCONFIGURATIONFORHIGHGAINANDEXCELLENTHEATDISSIPATION. Features	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SD1127	文件：42.87 Kbytes Page：1 Pages	SILICONNPNRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASISD1127isdesignedforVHFmobilcommunicationsapplicationsupto175MHz. FEATURES: •GroundedEmiterTheASISD1127 •Gp12dB@12.5V175MHz •Pout4.0VMin.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
SD1127	文件：72.13 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSVHFFMMOBILEAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheSD1127isaepitaxialsiliconNPNtransistordesignedprimarilyforVHFmobilecommunications.Thechipofthistransistorismountedonaberylliapilltoisolatethecollectorleadandgroundtheemitterleadforhighgainperformance Features ·175MHz ·12.5VOLTS ·POUT	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
SMT-1127-S-R	文件：256.35 Kbytes Page：1 Pages	ALLDIMENSIONSAREINMILLIMETERS	PUIAUDIO PUI audio inc.	PUIAUDIO
TMCS1127	文件：2.77533 Mbytes Page：35 Pages	TMCS1127250kHzHall-EffectCurrentSensorWithReinforcedIsolationWorkingVoltageandAmbientFieldRejection 1Features •Highcontinuouscurrentcapability:80ARMS •Robustreinforcedisolation •Highaccuracy –Sensitivityerror:±0.4% –Sensitivitythermaldrift:±40ppm/°C –Sensitivitylifetimedrift:±0.2% –Offseterror:±0.7mV –Offsetthermaldrift:±10μV/°C –Offsetlifetimedri	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UM1127	文件：404.57 Kbytes Page：2 Pages	25to30WattDC-DCConverters	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

详细参数

型号：
QW1127BR
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
1/4 Watt, Rn 55D, 1.27K Ohm 1% Metal Film Resistor- 25/Pkg

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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