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RCH-110	文件：181.75 Kbytes Page：2 Pages	PowerInductorPinType:RCH>Series> ◆ProductDescription •10.5mmMax.φ,10.5mmMax.Height. •Inductancerange:10μH～1.0mH •Ratedcurrentrange:0.53～5.3A •Inadditiontothestandardversionsofinductorsshownhere,custominductorsareavailabletomeetyourexactrequirements. ◆Feature •Magneticallyunshieldedcons	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
RCH-110	文件：145.02 Kbytes Page：3 Pages	RadialLeadedInductors RCH/RSeries ■7StandardCoreOptions ■HighQualityConstruction ■WideInductanceRange ■HardWireTerminations ■ULSleeveOptionforRCHType ■TypicalPackSize5000pcs	ECM ECM Electronics Limited.	ECM
RCH110B	文件：232.52 Kbytes Page：5 Pages	PINPowerInductor	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
RCH110C	文件：163.72 Kbytes Page：2 Pages	PowerInductorPinType:>Series>	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
RCR-110D	文件：166.94 Kbytes Page：2 Pages	POWERINDUCTORS>Type> ◆ProductDescription ◾13.0mmMax.φ,15.0mmMax.Height. ◾InductanceRange:10μH～33μH ◾RatedCurrentRange:2.3～4.5A(RP135),2.8～6.2A(RP135B) ◾Inadditiontothestandardversionsofinductorsshownhere,custominductorsareavailabletomeetyourexactrequirements ◆Feature ◾Ma	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
RCR-110D	文件：145.02 Kbytes Page：3 Pages	RadialLeadedInductors RCH/RSeries ■7StandardCoreOptions ■HighQualityConstruction ■WideInductanceRange ■HardWireTerminations ■ULSleeveOptionforRCHType ■TypicalPackSize5000pcs	ECM ECM Electronics Limited.	ECM
RCR-110D	文件：155.38 Kbytes Page：2 Pages	POWERINDUCTORSPinType:RCR>Series>	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
RD110E	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD110E	文件：346.09 Kbytes Page：5 Pages	500mWPLANARTYPESILICONZENERDIODES TheRD2.0EtoRD120Earezenerdiodeswithanallowabledissipationof500mWandaplanartypeglasssealedDHD(doubleheatsinkdiode)structure. FEATURES •Thezenervoltageserieshasawidevoltagerangeof2Vto120Vandisidealforstandardization. •TheE24seriesisemployedforthe	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RD110EB	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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产品属性

产品编号：
QT110-D
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 传感器，电容式触控
系列：
QTouch™
包装：
卷带（TR）
类型：
按钮
接近探测：
是
输入数：
最高 1
LED 驱动器通道：
最高 1
分辨率：
14 b
电压 - 供电：
2.5V ~ 5.5V
电流 - 供电：
26µA
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
SENSOR IC TOUCH/PROXMTY 1CH 8DIP

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