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SMTC-X186	文件：698.55 Kbytes Page：6 Pages	ConnectionValidation™SolderingStation FeaturesandBenefits •SmartHeat®Power-on-DemandTechnology •PatentedConnectionValidationIMCFormationTechnology •2.8”colortouchscreenwithboldgraphics •CommunicationsPortforprocesstraceabilitydataandfirmwaregraphics •IntegratedNetPowerMeterandpowergraph °Withop	METCAL Metcal	METCAL
SMTPB186	文件：55.13 Kbytes Page：5 Pages	TRISILTM DESCRIPTION TheSMTPBxxserieshasbeendesignedtoprotecttelecommunicationequipmentagainstlightningandtransientinducedbyACpowerlines. FEATURES BIDIRECTIONALCROWBARPROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGERANGE:From62VTo270V. HOLDINGCURRENT:IH=150mAmin REPETITIVEPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SNA-186	文件：349.47 Kbytes Page：4 Pages	DC-8GHz,CascadableGaAsHBTMMICAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevices’SNA-186isaGaAsmonolithicbroadbandamplifier(MMIC)housedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.Thisamplifierprovides12dBofgainand+13dBmofP1dBpowerwhenbiasedat4Vand50mA. ProductFeatures •Patented,ReliableGaAsHBTTech	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SPNZ186	文件：144.46 Kbytes Page：43 Pages	Thisdocumentdescribestheknownexceptionstothefunctionalspecificationsforthedevice.	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
SQJ186ELP	文件：182.45 Kbytes Page：6 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175째CMOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQJ186ELP	文件：181.52 Kbytes Page：6 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SQJ186EP	文件：180.89 Kbytes Page：6 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQJ186EP	文件：231.41 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175째CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQJQ186E	文件：217.29 Kbytes Page：7 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Thin1.9mmheight •Materialcategorization fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
QS186EBQ8
制造商：
Banner Engineering Corporation
类别：
传感器，变送器 > 光学传感器 - 光电，工业
系列：
QS18
包装：
盒
感应方法：
穿透光束
感应距离：
118.110"（3m）
电压 - 供电：
10V ~ 30V
光源：
LED
连接方法：
连接器
侵入防护：
NEMA 6P，IEC IP67
工作温度：
-20°C ~ 70°C
描述：
PHOTO SEN EMITTER 3M

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更多QS186EBQ供应商更新时间2025-5-24 15:01:00

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