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RBV806	文件：42.62 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Highcasedielectricstrengthof2000VDC Idealforprintedcircuitboard Verygoodheatdissipation *Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
RBV806	文件：50.76 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RBV806	文件：157.03 Kbytes Page：2 Pages	SiliconBridgeRectifiers Features ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto300Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
RBV806	文件：99.82 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
RBV806	文件：155.63 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Ratedisolation-voltage2000VAC Idealforprintedcircuitboard Verygoodheatdissipation *Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RBV806	文件：98.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RBV806D	文件：19.6 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RBV806D	文件：50.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RBV806D	文件：158.54 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts lo:8.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Ratedisolation-voltage2000VAC Idealforprintedcircuitboard Verygoodheatdissipation *Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RBV806D	文件：98.62 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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