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QPD1022EVB01

10W, 32V, DC ??12 GHz, GaN RF Transistor

Product Features Frequency: DC to 12 GHz Output Power (P3dB): 11 W1 Linear Gain: 24.0 dB1 Typical PAE3dB: 68.8 1 Operating Voltage: 32 V Low thermal resistance package CW and Pulse capable 3 x 3 mm package Note 1: @ 2 GHz (Loadpull)

文件:2.4298 Mbytes 页数:22 Pages

QORVO

威讯联合

QPD1022EVB01

10W, 32V, DC ??12 GHz, GaN RF Transistor

文件:2.54407 Mbytes 页数:23 Pages

TRIQUINT

QPL9096TR7

QFN

QORVO

威讯联合

上传:深圳市明嘉莱科技有限公司

QPQ1297TR7

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威讯联合

上传:深圳市明嘉莱科技有限公司

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更多QPD1022EVB01供应商 更新时间2026-1-22 8:03:00