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QPD1013S2	文件：2.40828 Mbytes Page：25 Pages	150W, 65V, DC – 2.7 GHz, GaN RF Transistor ProductFeatures Frequency:DCto2.7GHz OutputPower(P3dB):178W1 LinearGain:21.8dB1 TypicalPAE3dB:64.81 OperatingVoltage:65V Lowthermalresistancepackage CWandPulsecapable 7.2x6.6mmpackage	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
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QPD1013S2

文件：2.40828 Mbytes

Page：25 Pages

150W, 65V, DC – 2.7 GHz, GaN RF Transistor

ProductFeatures Frequency:DCto2.7GHz OutputPower(P3dB):178W1 LinearGain:21.8dB1 TypicalPAE3dB:64.81 OperatingVoltage:65V Lowthermalresistancepackage CWandPulsecapable 7.2x6.6mmpackage

QORVOQorvo, Inc

Qorvo

QORVO

QPD1013S2

文件：2.40828 Mbytes

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150W, 65V, DC ??2.7 GHz, GaN RF Transistor

TriQuint

TriQuint Semiconductor

TriQuint

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多QPD1013S2供应商更新时间2024-4-29 15:24:00

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