QPD0006中文资料13.5 Watt, 48 Volt, 2.5 - 5.0 GHz, GaN on SiC RF Transistor数据手册Qorvo规格书
QPD0006规格书详情
描述 Description
The QPD0006 is a single-path discrete GaN on SiC HEMT in a plastic overmold DFN package which operates from 2.5 to 5.0 GHz. It is a single-stage, unmatched transistor capable of delivering P3dB of 13.5 W at +48 V operation.Lead free and RoHS compliant.
特性 Features
• Operating Frequency Range: 2.5 - 5.0 GHz
• Operating Drain Voltage: +48 V
• Maximum Output Power (PSAT) at 3.6 GHz: 13.5 W
• Maximum Drain Efficiency at 3.6 GHz: 75%
• Efficiency-Tuned P3dB Gain at 3.6 GHz: 16 dB
• 4.5 x 4.0 mm DFN Package
应用 Application
• WCDMA / LTE
• Macrocell Base Station
• Microcell Base Station
• Small Cell
• Active Antenna
• 5G Massive MIMO
• General Purpose Applications
技术参数
- 制造商编号
：QPD0006
- 生产厂家
：Qorvo
- 频率最大值(MHz)
：5
- 增益(dB)
：16
- Psat(dBm)
：41.3
- 漏极效率(%)
：75
- Vd(V)
：48
- Idq(mA)
：40
- 封装类型
：DFN
- 封装(mm)
：4.5 x 4.0
- RoHS
：Yes
- Lead Free
：Yes
- Halogen Free
：Yes
- ITAR Restricted
：No
- ECCN
：EAR99
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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