QN6101M6N中文资料N-Channel 60V Fast Switching MOSFET数据手册uPI(UBIQ)规格书
QN6101M6N规格书详情
描述 Description
The QN6101M6N is a high performance trench N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications.
The QN6101M6N meets RoHS and Green Product requirements while supporting full functionreliability.
特性 Features
• Advanced high cell density Trench technology
• Super Low Gate Charge
• Low Gate drive
应用 Application
• Synchronous rectifier for Consumer/Computing/Industry Power Supply
技术参数
- 制造商编号
：QN6101M6N
- 生产厂家
：uPI(UBIQ)
- Package Type
：PRPAK5*6
- Configuration
：Single
- MOSFET Type
：N
- VDS (V)
：60
- VGS (V)
：±20
- Vth max. (V)
：2.5
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V
：2.8
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V
：4.0
- Ciss (pF)
：4727
- Coss (pF)
：757
- Crss (pF)
：80
- Qg(nC)
：68
- Qgs(nC)
：13
- Qgd(nC)
：9.1
- ID (A) Tc=25℃
：111
- ID (A) Tc=100℃
：70
- ID (A) TA=25℃
：21
- ID (A) TA=70℃
：17
- EAS.max(mj)
：132.1
- PD(W) Tc=25℃
：62
- PD (W) TA=25℃
：2.2
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
