QM3126M3数据手册uPI(UBIQ)中文资料规格书
QM3126M3规格书详情
描述 Description
The QM3126M3 is a high performance trench N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications.
The QM3126M3 meets RoHS and Green Product requirements while supporting full functionreliability.
特性 Features
• Advanced high cell density Trench technology
• Super Low Gate Charge
• Excellent CdV/dt effect decline
• RoHS and Green Product Device
应用 Application
• High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
• Networking DC-DC Power System
• Load Switch
技术参数
- 制造商编号
：QM3126M3
- 生产厂家
：uPI(UBIQ)
- Package Type
：PRPAK3*3
- Configuration
：Single
- MOSFET Type
：N
- VDS (V)
：30
- VGS (V)
：±20
- Vth max. (V)
：2.5
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V
：15
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V
：21
- Ciss (pF)
：450
- Coss (pF)
：75
- Crss (pF)
：55
- Qg(nC)
：10.2
- Qgs(nC)
：1.6
- Qgd(nC)
：2.3
- ID (A) Tc=25℃
：32
- ID (A) Tc=100℃
：20
- ID (A) TA=25℃
：9.6
- ID (A) TA=70℃
：7.7
- EAS.max(mj)
：21
- PD(W) Tc=25℃
：26
- PD (W) TA=25℃
：2.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UIBQ |
24+ |
NA/ |
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UBIQ |
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UBIQ |
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