QM3017M3数据手册uPI(UBIQ)中文资料规格书
QM3017M3规格书详情
描述 Description
The QM3017M3 is a high performance trench P-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support most of Load switching and Motor applications .
The QM3017M3 meets RoHS and Green Product requirements while supporting full functionreliability.
特性 Features
• Advanced high cell density Trench technology
• Super Low Gate Charge
• Excellent CdV/dt effect decline
• Green Device Available
应用 Application
• Networking DC-DC Power System
• Load Switch
技术参数
- 制造商编号
：QM3017M3
- 生产厂家
：uPI(UBIQ)
- Package Type
：PRPAK3*3
- Configuration
：Single
- MOSFET Type
：P
- VDS (V)
：-30
- VGS (V)
：±20
- Vth max. (V)
：-2.5
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V
：7.9
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V
：13
- Ciss (pF)
：3448
- Coss (pF)
：508
- Crss (pF)
：421
- Qg(nC)
：30
- Qgs(nC)
：10
- Qgd(nC)
：10.4
- ID (A) Tc=25℃
：-56
- ID (A) Tc=100℃
：-36
- ID (A) TA=25℃
：-11.1
- ID (A) TA=70℃
：-8.9
- EAS.max(mj)
：172.9
- PD(W) Tc=25℃
：43.4
- PD (W) TA=25℃
：1.67
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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