QM3016P数据手册uPI(UBIQ)中文资料规格书
QM3016P规格书详情
描述 Description
The QM3016P is the highest performance trenchN-ch MOSFETs with extremehigh cell density ,which provide excellent RDSON and gate chargefor most of thesynchronous buck converterapplications.
The QM3016P meet the RoHS and Green Productrequirement 100% EAS guaranteed withfullfunction reliability approved.
特性 Features
• Advanced high cell density Trench technology.
• Super Low Gate Charge.
• Excellent CdV/dt effect decline.
• 100% EAS Guaranteed
• Green Device Available.
应用 Application
• High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA.
• Networking DC-DC Power System.
• Load Switch.
技术参数
- 制造商编号
：QM3016P
- 生产厂家
：uPI(UBIQ)
- Package Type
：TO220
- Configuration
：Single
- MOSFET Type
：N
- VDS (V)
：30
- VGS (V)
：±20
- Vth max. (V)
：2.5
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V
：4
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V
：6
- Ciss (pF)
：3075
- Coss (pF)
：400
- Crss (pF)
：315
- Qg(nC)
：31.6
- Qgs(nC)
：6.1
- Qgd(nC)
：13.8
- ID (A) Tc=25℃
：110
- ID (A) Tc=100℃
：72
- ID (A) TA=25℃
：17
- ID (A) TA=70℃
：14
- EAS.max(mj)
：317
- PD(W) Tc=25℃
：86.8
- PD (W) TA=25℃
：2
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
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