QM3006M6中文资料Low Voltage Power MOSFET < 40V数据手册uPI(UBIQ)规格书
QM3006M6规格书详情
描述 Description
The QM3006M6 is the highest performancetrench N-ch MOSFETs with extremehigh celldensity , which provide excellent RDSON andgate charge for most of thesynchronous buckconverter applications.
The QM3006M6 meet the RoHS and GreenProduct requirement , 100% EAS guaranteedwith full function reliability approved.
特性 Features
• Advanced high cell density Trench technology.
• Super Low Gate Charge.
• Excellent CdV/dt effect decline.
• 100% EAS Guaranteed
• Green Device Available.
应用 Application
• High Frequency Point-of-Load Synchronous Small power switching for MB/NB/UMPC/VGA.
• Networking DC-DC Power System.
• Load Switch.
技术参数
- 制造商编号
：QM3006M6
- 生产厂家
：uPI(UBIQ)
- Package Type
：PRPAK5*6
- Configuration
：Single
- MOSFET Type
：N
- VDS (V)
：30
- VGS (V)
：±20
- Vth max. (V)
：2.5
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V
：5.5
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V
：9
- Ciss (pF)
：2295
- Coss (pF)
：267
- Crss (pF)
：210
- Qg(nC)
：20
- Qgs(nC)
：7.6
- Qgd(nC)
：7.2
- ID (A) Tc=25℃
：81
- ID (A) Tc=100℃
：51
- ID (A) TA=25℃
：15
- ID (A) TA=70℃
：12
- EAS.max(mj)
：252
- PD(W) Tc=25℃
：59
- PD (W) TA=25℃
：2
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UBIQ |
24+ |
NA/ |
9250 |
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UBIQ |
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QFN8 |
3000 |
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UBIQ |
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QFN5X6 |
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UBIQ |
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UBIQ |
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SMD |
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UBIQ |
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QFN8 |
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只做原装,质量保证 |
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UBIQ |
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QFN8 |
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UBIQ |
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QFN8 |
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DFN-85X6 |
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UBIQ |
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