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QM2538N3数据手册uPI(UBIQ)中文资料规格书

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厂商型号

QM2538N3

功能描述

Low Voltage Power MOSFET < 40V

制造商

uPI(UBIQ) uPI Semiconductor Corp

中文名称

力智

数据手册

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更新时间

2025-8-7 17:04:00

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QM2538N3规格书详情

描述 Description

The QM2538N3 is the highest performance trenchN-Channel MOSFET with extremehigh cell d ensity , which provide excellent RDSON and gatecharge for most of theBattery MOSFET Switch. The QM2538N3 meet the RoHS and GreenProduct requirement.

特性 Features

• Advanced high cell density Trench technology.
• Super Low Gate Charge.
• Green Device Available.
• Embedded ESD Protection.
• HBM 2KV / MM200V Verified.

应用 Application

• Battery MOSFET Switch.

技术参数

  • 制造商编号

    :QM2538N3

  • 生产厂家

    :uPI(UBIQ)

  • Package Type

    :DFN3*3

  • Configuration

    :Dual

  • MOSFET Type

    :N

  • VDS (V)

    :20

  • VGS (V)

    :±8

  • Vth max. (V)

    :1.0

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V

    :6

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS2.5V

    :8

  • Ciss (pF)

    :2571

  • Coss (pF)

    :334

  • Crss (pF)

    :318

  • Qg(nC)

    :41.1

  • Qgs(nC)

    :2.9

  • Qgd(nC)

    :12.2

  • ID (A) Tc=25℃

    :56

  • ID (A) Tc=100℃

    :35

  • ID (A) TA=25℃

    :13

  • ID (A) TA=70℃

    :10

  • EAS.max(mj)

    :45

  • PD(W) Tc=25℃

    :31

  • PD (W) TA=25℃

    :1.6

  • ESD Diode

    :YES

  • Schottky Diode

    :NO

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