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QJD1210006中文资料Silicon Carbide MOSFET Module 100 Amperes/1200 Volts数据手册Powerex规格书
技术参数
- 型号：
QJD1210006
- 制造商：
Powerex Power Semiconductors
- 功能描述：
SILICON CARBIDE TRANSISTOR
- 功能描述：
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JEPICO |
24+ |
QFP |
43 |
询价 | |||
英特尔 |
BGA |
19 |
原装正品仓库现货 可看货支持实单! |
询价 | |||
Powerex Inc. |
2022+ |
模块 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INTEL |
2447 |
BGA |
100500 |
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询价 | ||
ADI |
23+ |
CDIP14 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INTEL/英特尔 |
2402+ |
FCBGA |
8324 |
原装正品!实单价优! |
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AD |
98+ |
CAN |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INTEL/英特尔 |
23+ |
BGA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ADI/亚德诺 |
9724+ |
CDIP14 |
28 |
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询价 | ||
ADI/亚德诺 |
/ROHS.original |
原封 |
22102 |
电子元件,供应 -正纳电子/ 元器件IC -MOS -MCU. |
询价 |
