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SFT2014	文件：105.95 Kbytes Page：2 Pages	HighEnergyNPNTransistor 200AMP100–140VoltHighEnergyNPNTransistor Features: •BVCBO=250VMIN •600WattsPowerDissipation •ExcellentSOACurve •Es/bof800mJ •Gainofover5at200A •HighReliabilityConstruction •PlanarChipConstructionwithLowLeakageandVeryFastSwitching •TX,TXV,S-Leve	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFT2014	文件：106.69 Kbytes Page：2 Pages	200AMP100-140VOLTSNPNTRANSISTOR 200AMP100–140VOLTSNPNTRANSISTOR Features: •BV(CBO)=250Voltsminimum •600WPowerDissipation •ExcellentSOACurve •Es/bof800mJ •Gainofover5at200A •HighRelConstructionincludingGoldEutecticDieMounting,AluminumWiring •PlanarChipConstructionwithLowLeakage	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFT2014	文件：280 Kbytes Page：6 Pages	HIGHENERCYNPNTRANSISTOR [SSDI] 2N5094AND2N5096 HIGHVOLTAGEPNPTRANSISTOR450-500VOLTS SFT2010,SFT2012,SFT2014 200AMPHIGHENERGYNPNTRANSISTORVCEO100,120,140VOLTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SG2014	文件：98.49 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2014	文件：194.27 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2014	文件：242.74 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS Description Crossreferenceto5962-86058012A,5962-86058012,86058012 TheSG2800seriesintegrateseightNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.A	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2014	文件：242.74 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SGM2014	文件：569.95 Kbytes Page：11 Pages	LowPower,LowDropout,250mA,RF-LinearRegulators GENERALDESCRIPTION TheSGM2014serieslow-power,low-noise,low-dropout,CMOSlinearvoltageregulatorsoperatefroma2.5Vto5.5Vinputanddeliverupto250mA.Theyaretheperfectchoiceforlowvoltage,lowpowerapplications. FEATURES -LowOutputNoise:30µVRMSTYP(10Hzto100kHz) -Ul	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SGM2014	文件：107.43 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET? Description TheSGM2014MisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.5dB(typ.)at900MHz •	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2014	文件：57.15 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET Description TheSGM2014ANisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Ultrasmallpackage •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony

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产品属性

产品编号：
QGS2014R
制造商：
Pulse Electronics Network
类别：
变压器 > 脉冲变压器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
变压器类型：
LAN 2.5/5G Base-T
电感：
180µH
匝数比 - 初级：
1
安装类型：
表面贴装型
大小 / 尺寸：
1.094" 长 x 0.480" 宽（27.80mm x 12.20mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.283"（7.20mm）
工作温度：
0°C ~ 70°C
描述：
MDL 5G DUAL PORT N/A

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