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QED233

PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE

DESCRIPTION The QED233 / QED234 is a 940 nm GaAs / AlGaAs LED encapsulated in a clear untinted, plastic T-1 3/4 package. FEATURES • λ = 940 nm • Chip material =GaAs with AlGaAs window • Package type: T-1 3/4 (5mm lens diameter) • Matched Photosensor: QSD122/123/124 • Medium Emission Angle,

文件:84.5 Kbytes 页数:4 Pages

Fairchild

仙童半导体

QED233

GAAS INFRARED EMITTING DIODE

文件:149.52 Kbytes 页数:2 Pages

QT

QED233

GAAS INFRARED EMITTING DIODE

ONSEMI

安森美半导体

QED233

Package:径向,5mm 直径(T 1 3/4);包装:散装 类别:光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光 描述:EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

ONSEMI

安森美半导体

QED233A4R0

Package:径向,5mm 直径(T 1 3/4);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光 描述:EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

ONSEMI

安森美半导体

QED233A4R0_F132

Package:径向,5mm 直径(T 1 3/4);包装:散装 类别:光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光 描述:EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    QED233

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    100mA

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    10mW/sr @ 100mA

  • 波长:

    940nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.6V

  • 视角:

    40°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -40°C ~ 100°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向,5mm 直径(T 1 3/4)

  • 描述:

    EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
仙童
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更多QED233供应商 更新时间2025-12-1 13:38:00