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RQA0003DNSTR-E	文件：243.25 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features •HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+36dBm,LinearGain=19dB,PAE=65(f=520MHz) •SmallOutlinePackage(WSON0303-2:3.0×3.0×0.8mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UNH0003	文件：46.96 Kbytes Page：2 Pages	CircuitProtectorElements	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic

更多QCNWG0003CEPA供应商更新时间2025-7-23 18:24:00