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QAK2J335KTP中文资料薄膜电容数据手册Nichicon规格书
QAK2J335KTP规格书详情
简介
QAK2J335KTP属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的QAK2J335KTP薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。
技术参数
更多- 制造商编号
：QAK2J335KTP
- 生产厂家
：Nichicon
- 精度
：±10%
- 额定电压
：630V
- 介电材料
：金属化聚酯
- 工作温度
：-40℃~+85℃
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AVAGO/安华高 |
24+ |
NA/ |
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24+ |
QFN |
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SANKEN |
专业模块 |
MODULE |
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AVAGO/安华高 |
22+ |
QFN |
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AVG |
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QFN |
20000 |
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询价 | ||
Nichicon(尼吉康) |
24+ |
插件 |
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